カテゴリ

研究用高純度シリコンウェハー　25枚入　3×N型

研究用高純度シリコンウェハー　25枚入　3×N型

他のバリエーション・タイプを見る

特徴

研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。

仕様

OF長さ(mm)×ウェハー厚（μｍ）：22.5±2.5×380±25製造方法：CZ法面方位：100OF位置：110抵抗値：0.1～100Ω・cmパーティクル：0.3μm、10個以下サイズ（インチ）×伝導型：3×N型入数：1箱（25枚）特注対応品について(1)方位（切断角度）、OF位置角度公差、厚み公差を、より小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。(2)多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざくり加工品、穴あけ加工品、酸化膜付きウェハー）。(3)ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。(4)8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください（最低単位25枚）。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
型番：
3×N型

  • 荷姿サイズ：

    W:210 D:260 H:220 mm

     1.00kg
  • 商品コード：
    2-960-54
  • 入り数：
    1箱(25枚入)
  • 当社在庫[?]：
  • 出荷目安 ：
販売価格： ￥108,680
ポイント獲得： 1,086pt

数量

商品のお問い合わせ

その他バリエーション・タイプ

研究用高純度シリコンウェハー　1枚入　2×P型
研究用高純度シリコンウェハー　1枚入　2×P型
製造方法：CZ法面方位：100OF位置：110抵抗値：0.1～100Ω・cmパーティクル：パーティクル不問サイズ（インチ）×伝導型：2×P型OF長さ（mm）×ウェハー厚（μm）：17.5±2.5×280±25入数：1枚特注対応品について(1)方位（切断角度）、OF位置角度公差、厚み公差を、より小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。(2)多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざくり加工品、穴あけ加工品、酸化膜付きウェハー）。(3)ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。(4)8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください（最低単位25枚）。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
商品コード
2-960-01
入数
1枚
当社在庫[?]
出荷目安
商品のお取り扱いを終了しました。
お問い合わせ
研究用高純度シリコンウェハー　1枚入　2×N型
研究用高純度シリコンウェハー　1枚入　2×N型
製造方法：CZ法面方位：100OF位置：110抵抗値：0.1～100Ω・cmパーティクル：パーティクル不問サイズ（インチ）×伝導型：2×N型OF長さ（mm）×ウェハー厚（μm）：17.5±2.5×280±25入数：1枚特注対応品について(1)方位（切断角度）、OF位置角度公差、厚み公差を、より小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。(2)多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざくり加工品、穴あけ加工品、酸化膜付きウェハー）。(3)ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。(4)8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください（最低単位25枚）。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
商品コード
2-960-02
入数
1枚
当社在庫[?]
出荷目安
商品のお取り扱いを終了しました。
お問い合わせ
研究用高純度シリコンウェハー　1枚入　4×N型
研究用高純度シリコンウェハー　1枚入　4×N型
製造方法：CZ法面方位：100OF位置：110抵抗値：0.1～100Ω・cmパーティクル：パーティクル不問サイズ（インチ）×伝導型：4×N型OF長さ（mm）×ウェハー厚（μm）：32.5±2.5×525±25入数：1枚特注対応品について(1)方位（切断角度）、OF位置角度公差、厚み公差を、より小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。(2)多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざくり加工品、穴あけ加工品、酸化膜付きウェハー）。(3)ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。(4)8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください（最低単位25枚）。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
商品コード
2-960-06
入数
1枚
当社在庫[?]
出荷目安
商品のお取り扱いを終了しました。
お問い合わせ
研究用高純度シリコンウェハー　4×P型(低抵抗)　1枚入　
研究用高純度シリコンウェハー　4×P型(低抵抗)　1枚入　
サイズ（インチ）×伝導型：4×P型(低抵抗)OF長さ（mm）×ウェハー厚(μm）：32.5±2.5×525±25入数：1枚製造方法：CZ法面方位：100OF位置：110抵抗値：≦0.02Ω・cmパーティクル：パーティクル不問特注対応品について(1)方位（切断角度）、OF位置角度公差、厚み公差を、より小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。(2)多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざくり加工品、穴あけ加工品、酸化膜付きウェハー）。(3)ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。(4)8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください（最低単位25枚）。
商品コード
2-960-07
入数
1枚
当社在庫[?]
出荷目安
商品のお取り扱いを終了しました。
お問い合わせ
研究用高純度シリコンウェハー 6×P型　1枚入　
研究用高純度シリコンウェハー 6×P型　1枚入　
サイズ（インチ）×伝導型：6×P型OF長さ（mm）×ウェハー厚(μm）：47.5±2.5×625±25製造方法：CZ法面方位：100OF位置：110抵抗値：0.1～100Ω・cmパーティクル：パーティクル不問入数：1枚特注対応品について(1)方位（切断角度）、OF位置角度公差、厚み公差を、より小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。(2)多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざくり加工品、穴あけ加工品、酸化膜付きウェハー）。(3)ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。(4)8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください（最低単位25枚）。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
商品コード
2-960-09
入数
1枚
当社在庫[?]
出荷目安
販売価格： ￥13,481

数量

研究用高純度シリコンウェハー 6×N型　1枚入　
研究用高純度シリコンウェハー 6×N型　1枚入　
サイズ（インチ）×伝導型：6×N型OF長さ（mm）×ウェハー厚(μm）：47.5±2.5×625±25製造方法：CZ法面方位：100OF位置：110抵抗値：0.1～100Ω・cmパーティクル：パーティクル不問入数：1枚特注対応品について(1)方位（切断角度）、OF位置角度公差、厚み公差を、より小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。(2)多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざくり加工品、穴あけ加工品、酸化膜付きウェハー）。(3)ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。(4)8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください（最低単位25枚）。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
商品コード
2-960-10
入数
1枚
当社在庫[?]
出荷目安
販売価格： ￥13,481

数量

研究用高純度シリコンウェハー　25枚入　3×P型
研究用高純度シリコンウェハー　25枚入　3×P型
OF長さ(mm)×ウェハー厚（μｍ）：22.5±2.5×380±25製造方法：CZ法面方位：100OF位置：110抵抗値：0.1～100Ω・cmパーティクル：0.3μm、10個以下サイズ（インチ）×伝導型：3×P型入数：1箱（25枚）特注対応品について(1)方位（切断角度）、OF位置角度公差、厚み公差を、より小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。(2)多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざくり加工品、穴あけ加工品、酸化膜付きウェハー）。(3)ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。(4)8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください（最低単位25枚）。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
商品コード
2-960-53
入数
1箱(25枚入)
当社在庫[?]
出荷目安
販売価格： ￥108,680

数量

研究用高純度シリコンウェハー　25枚入　4×P型
研究用高純度シリコンウェハー　25枚入　4×P型
OF長さ(mm)×ウェハー厚（μｍ）：32.5±2.5×525±25製造方法：CZ法面方位：100OF位置：110抵抗値：0.1～100Ω・cmパーティクル：0.3μm、10個以下サイズ（インチ）×伝導型：4×P型入数：1箱（25枚）特注対応品について(1)方位（切断角度）、OF位置角度公差、厚み公差を、より小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。(2)多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざくり加工品、穴あけ加工品、酸化膜付きウェハー）。(3)ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。(4)8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください（最低単位25枚）。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
商品コード
2-960-55
入数
1箱(25枚入)
当社在庫[?]
出荷目安
販売価格： ￥108,680

数量

研究用高純度シリコンウェハー　25枚入　4×N型
研究用高純度シリコンウェハー　25枚入　4×N型
OF長さ(mm)×ウェハー厚（μｍ）：32.5±2.5×525±25製造方法：CZ法面方位：100OF位置：110抵抗値：0.1～100Ω・cmパーティクル：0.3μm、10個以下サイズ（インチ）×伝導型：4×N型入数：1箱（25枚）特注対応品について(1)方位（切断角度）、OF位置角度公差、厚み公差を、より小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。(2)多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざくり加工品、穴あけ加工品、酸化膜付きウェハー）。(3)ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。(4)8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください（最低単位25枚）。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
商品コード
2-960-56
入数
1箱(25枚入)
当社在庫[?]
出荷目安
販売価格： ￥108,680

数量

研究用高純度シリコンウェハー　25枚入　6×P型
研究用高純度シリコンウェハー　25枚入　6×P型
OF長さ(mm)×ウェハー厚（μｍ）：47.5±2.5×625±25製造方法：CZ法面方位：100OF位置：110抵抗値：0.1～100Ω・cmパーティクル：0.3μm、10個以下サイズ（インチ）×伝導型：6×P型入数：1箱（25枚）特注対応品について(1)方位（切断角度）、OF位置角度公差、厚み公差を、より小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。(2)多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざくり加工品、穴あけ加工品、酸化膜付きウェハー）。(3)ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。(4)8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください（最低単位25枚）。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
商品コード
2-960-59
入数
1箱(25枚入)
当社在庫[?]
出荷目安
販売価格： ￥141,075

数量

研究用高純度シリコンウェハー　25枚入　6×N型
研究用高純度シリコンウェハー　25枚入　6×N型
OF長さ(mm)×ウェハー厚（μｍ）：47.5±2.5×625±25製造方法：CZ法面方位：100OF位置：110抵抗値：0.1～100Ω・cmパーティクル：0.3μm、10個以下サイズ（インチ）×伝導型：6×N型入数：1箱（25枚）特注対応品について(1)方位（切断角度）、OF位置角度公差、厚み公差を、より小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。(2)多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざくり加工品、穴あけ加工品、酸化膜付きウェハー）。(3)ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。(4)8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください（最低単位25枚）。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
商品コード
2-960-60
入数
1箱(25枚入)
当社在庫[?]
出荷目安
販売価格： ￥126,225

数量

研究用高純度シリコンウェハー　4×P型(低抵抗)　25枚入　
研究用高純度シリコンウェハー　4×P型(低抵抗)　25枚入　
OF長さ(mm)×ウェハー厚（μｍ）：32.5±2.5×525±25サイズ（インチ）×伝導型：4×P型(低抵抗)OF長さ（mm）×ウェハー厚(μm）：32.5±2.5×525±25入数：1箱(25枚)製造方法：CZ法面方位：100OF位置：110抵抗値：≦0.02Ω・cmパーティクル：0.3μm、10個以下特注対応品について(1)方位（切断角度）、OF位置角度公差、厚み公差を、より小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。(2)多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざくり加工品、穴あけ加工品、酸化膜付きウェハー）。(3)ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。(4)8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください（最低単位25枚）。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
商品コード
2-960-61
入数
1箱(25枚入)
当社在庫[?]
出荷目安
販売価格： ￥124,355

数量

研究用高純度シリコンウェハー　2×P型　25枚入　
研究用高純度シリコンウェハー　2×P型　25枚入　
サイズ（インチ）×伝導型：2×P型OF長さ（mm）×ウェハー厚（μm）：17.5±2.5×280±25入数：1箱（25枚入）製造方法：CZ法面方位：100OF位置：110抵抗値：0.1～100Ω・cm　※低抵抗：≦0.02Ω・cm、高抵抗：≧500Ω・cmパーティクル：≧0.3μm、10個以下※特注対応品：方位（切断角度）、OF位置角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください（最低単位25枚）。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
商品コード
2-960-63
入数
1箱(25枚入)
当社在庫[?]
出荷目安
販売価格： ￥105,545

数量

研究用高純度シリコンウェハー　2×N型　25枚入　
研究用高純度シリコンウェハー　2×N型　25枚入　
サイズ（インチ）×伝導型：2×N型OF長さ（mm）×ウェハー厚（μm）：17.5±2.5×280±25入数：1箱（25枚入）製造方法：CZ法面方位：100OF位置：110抵抗値：0.1～100Ω・cm　※低抵抗：≦0.02Ω・cm、高抵抗：≧500Ω・cmパーティクル：≧0.3μm、10個以下※特注対応品：方位（切断角度）、OF位置角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください（最低単位25枚）。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
商品コード
2-960-64
入数
1箱(25枚入)
当社在庫[?]
出荷目安
販売価格： ￥105,545

数量