6インチ(SEMI)シリコンウェハ 研究用 [P(100),低抵抗(≦0.02Ω)] 片面ミラーDF品 1枚
特徴
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様
サイズ:6インチ(SEMI)シリコンウェハ直径(mm):150.0±0.2ウェハー厚(μm):675±25製造方法:CZ法導電型:P型面方位:100OF方位:110抵抗値(Ω・cm):≦0.02OF長(mm):57.5±2.5面状態:ミラー/エッチドパーティクル:ダストフリーTTV(μm):≦25数量:1枚※特注対応品:方位(切断角度)、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です(例:ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し
-
荷姿サイズ:
W:200 D:210 H:260 mm
1.50kg