6インチ（SEMI）シリコンウェハ研究用 [P（100）,高抵抗（≧1000Ω）] 片面ミラーDF品 25枚　

Name: 6インチ（SEMI）シリコンウェハ 研究用 [P（100）,高抵抗（≧1000Ω）] 片面ミラーDF品 25枚
Price: 456665 JPY
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特徴

研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。

仕様

サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：FZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≧1000OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：25枚（1箱）※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

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6インチ（SEMI）シリコンウェハ研究用 [P（100）,1-100Ω,] 片面ミラーDF品 1枚　

サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：CZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：1～100OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：1枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

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サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：CZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：1～100OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：5枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

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サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：CZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：1～100OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：10枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

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サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：CZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：1～100OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：25枚（1箱）※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

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6インチ（SEMI）シリコンウェハ研究用 [P（100）,高抵抗（≧1000Ω）] 片面ミラーDF品 1枚　

サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：FZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≧1000OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：1枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

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サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：FZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≧1000OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：5枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

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サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：FZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≧1000OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：10枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

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6インチ（SEMI）シリコンウェハ研究用 [ノンドープ（100）,高抵抗（≧10000Ω）] 片面ミラーDF品 1枚　

サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：FZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≧10000OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：1枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

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6インチ（SEMI）シリコンウェハ研究用 [ノンドープ（100）,高抵抗（≧10000Ω）] 片面ミラーDF品 5枚　

サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：FZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≧10000OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：5枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

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6インチ（SEMI）シリコンウェハ研究用 [ノンドープ（100）,高抵抗（≧10000Ω）] 片面ミラーDF品 10枚　

サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：FZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≧10000OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：10枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

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6インチ（SEMI）シリコンウェハ研究用 [ノンドープ（100）,高抵抗（≧10000Ω）] 片面ミラーDF品 25枚　

サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：FZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≧10000OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：25枚（1箱）※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3737-99

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6インチ（SEMI）シリコンウェハ研究用 [ノンドープ（100）,高抵抗（≧20000Ω）] 片面ミラーDF品 1枚　

サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：FZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≧20000OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：1枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3738-01

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サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：FZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≧20000OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：5枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3738-02

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6インチ（SEMI）シリコンウェハ研究用 [ノンドープ（100）,高抵抗（≧20000Ω）] 片面ミラーDF品 10枚　

サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：FZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≧20000OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：10枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3738-03

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販売価格：￥269,610

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6インチ（SEMI）シリコンウェハ研究用 [ノンドープ（100）,高抵抗（≧20000Ω）] 片面ミラーDF品 25枚　

サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：FZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≧20000OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：25枚（1箱）※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3738-04

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販売価格：￥512,050

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6インチ（SEMI）シリコンウェハ研究用 [P（100）,低抵抗（≦0.02Ω）] 片面ミラーDF品 1枚　

サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：CZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≦0.02OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：1枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3738-05

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6インチ（SEMI）シリコンウェハ研究用 [P（100）,低抵抗（≦0.02Ω）] 片面ミラーDF品 5枚　

サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：CZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≦0.02OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：5枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3738-06

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販売価格：￥78,375

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6インチ（SEMI）シリコンウェハ研究用 [P（100）,低抵抗（≦0.02Ω）] 片面ミラーDF品 10枚　

サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：CZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≦0.02OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：10枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3738-07

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販売価格：￥112,860

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6インチ（SEMI）シリコンウェハ研究用 [P（100）,低抵抗（≦0.02Ω）] 片面ミラーDF品 25枚　

サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：CZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≦0.02OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：25枚（1箱）※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3738-08

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販売価格：￥133,760

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6インチ（SEMI）シリコンウェハ研究用 [P（100）,低抵抗（≦0.005Ω）] 片面ミラーDF品 25枚　

サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：CZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≦0.005OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：25枚（1箱）※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3738-09

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6インチ（SEMI）シリコンウェハ研究用 [P（100）,1-100Ω,] 両面ミラーDF品 25枚　

サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：CZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：1～100OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/ミラーパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：25枚（1箱）※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3738-10

入数: 1箱(25枚入)

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販売価格：￥216,315

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6インチ（SEMI）シリコンウェハ研究用 [P（100）,高抵抗（≧1000Ω）] 両面ミラーDF品 25枚　

サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：FZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≧1000OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/ミラーパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：25枚（1箱）※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

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販売価格：￥622,820

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6インチ（SEMI）シリコンウェハ研究用 [ノンドープ（100）,高抵抗（≧10000Ω）] 両面ミラーDF品 25枚　

サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：FZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≧10000OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/ミラーパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：25枚（1箱）※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3738-12

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販売価格：￥677,160

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6インチ（SEMI）シリコンウェハ研究用 [ノンドープ（100）,高抵抗（≧20000Ω）] 両面ミラーDF品 25枚　

サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：FZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≧20000OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/ミラーパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：25枚（1箱）※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3738-13

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販売価格：￥732,545

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6インチ（SEMI）シリコンウェハ研究用 [P（100）,低抵抗（≦0.02Ω）両面ミラーDF品 25枚　

サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：CZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≦0.02OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/ミラーパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：25枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3738-14

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販売価格：￥250,800

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6インチ（SEMI）シリコンウェハ研究用 [P（100）,低抵抗（≦0.005Ω）] 両面ミラーDF品 25枚　

サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：CZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≦0.005OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/ミラーパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：25枚（1箱）※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3738-15

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販売価格：￥285,285

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6インチ（SEMI）シリコンウェハ研究用 [N（100）,1-100Ω,] 片面ミラーDF品 1枚　

サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：CZ法導電型：N型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：1～100OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：1枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3738-16

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販売価格：￥53,086

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6インチ（SEMI）シリコンウェハ研究用 [N（100）,1-100Ω,] 片面ミラーDF品 5枚　

サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：CZ法導電型：N型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：1～100OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：5枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3738-17

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販売価格：￥57,684

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6インチ（SEMI）シリコンウェハ研究用 [N（100）,1-100Ω,] 片面ミラーDF品 10枚　

サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：CZ法導電型：N型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：1～100OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：10枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3738-18

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販売価格：￥93,632

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6インチ（SEMI）シリコンウェハ研究用 [N（100）,1-100Ω,] 片面ミラーDF品 25枚　

サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：CZ法導電型：N型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：1～100OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：25枚（1箱）※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3738-19

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販売価格：￥95,618

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6インチ（SEMI）シリコンウェハ研究用 [N（100）,高抵抗（≧1000Ω）] 片面ミラーDF品 1枚　

サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：FZ法導電型：N型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≧1000OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：1枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3738-20

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販売価格：￥140,030

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6インチ（SEMI）シリコンウェハ研究用 [N（100）,高抵抗（≧1000Ω）] 片面ミラーDF品 5枚　

サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：FZ法導電型：N型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≧1000OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：5枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3738-21

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販売価格：￥148,390

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6インチ（SEMI）シリコンウェハ研究用 [N（100）,高抵抗（≧1000Ω）] 片面ミラーDF品 10枚　

サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：FZ法導電型：N型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≧1000OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：10枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3738-22

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販売価格：￥247,665

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6インチ（SEMI）シリコンウェハ研究用 [N（100）,高抵抗（≧1000Ω）] 片面ミラーDF品 25枚　

サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：FZ法導電型：N型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≧1000OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：25枚（1箱）※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3738-23

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販売価格：￥434,720

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6インチ（SEMI）シリコンウェハ研究用 [N（100）,低抵抗（≦0.02Ω）] 片面ミラーDF品 1枚　

サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：CZ法導電型：N型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≦0.02OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：1枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3738-24

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販売価格：￥78,375

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6インチ（SEMI）シリコンウェハ研究用 [N（100）,低抵抗（≦0.02Ω）] 片面ミラーDF品 5枚　

サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：CZ法導電型：N型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≦0.02OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：5枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3738-25

入数: 1箱(5枚入)

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販売価格：￥99,066

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6インチ（SEMI）シリコンウェハ研究用 [N（100）,低抵抗（≦0.02Ω）] 片面ミラーDF品 10枚　

サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：CZ法導電型：N型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≦0.02OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：10枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3738-26

入数: 1箱(10枚入)

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販売価格：￥168,245

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6インチ（SEMI）シリコンウェハ研究用 [N（100）,低抵抗（≦0.02Ω）] 片面ミラーDF品 25枚　

サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：CZ法導電型：N型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≦0.02OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：25枚（1箱）※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3738-27

入数: 1箱(25枚入)

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販売価格：￥306,185

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6インチ（SEMI）シリコンウェハ研究用 [N（100）,低抵抗（≦0.005Ω）] 片面ミラーDF品 25枚　

サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：CZ法導電型：N型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≦0.005OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：25枚（1箱）※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3738-28

入数: 1箱(25枚入)

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販売価格：￥154,660

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6インチ（SEMI）シリコンウェハ研究用 [N（100）,1-100Ω,] 両面ミラーDF品 25枚　

サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：CZ法導電型：N型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：1～100OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/ミラーパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：25枚（1箱）※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3738-29

入数: 1箱(25枚入)

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販売価格：￥265,430

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6インチ（SEMI）シリコンウェハ研究用 [N（100）,高抵抗（≧1000Ω）] 両面ミラーDF品 25枚　

サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：FZ法導電型：N型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≧1000OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/ミラーパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：25枚（1箱）※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3738-30

入数: 1箱(25枚入)

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販売価格：￥480,700

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6インチ（SEMI）シリコンウェハ研究用 [N（100）,低抵抗（≦0.02Ω）両面ミラーDF品 25枚　

サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：CZ法導電型：N型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≦0.02OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/ミラーパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：25枚（1箱）※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

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入数: 1箱(25枚入)

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販売価格：￥237,215

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6インチ（SEMI）シリコンウェハ研究用 [N（100）,低抵抗（≦0.005Ω）] 両面ミラーDF品 25枚　

サイズ：6インチ（SEMI）シリコンウェハ直径（mm）：150.0±0.2ウェハー厚（μm）：675±25製造方法：CZ法導電型：N型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≦0.005OF長（mm）：57.5±2.5面状態：ミラー/ミラーパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：25枚（1箱）※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3738-32

入数: 1箱(25枚入)

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販売価格：￥258,115

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6インチ（SEMI）シリコンウェハ 研究用 [P（100）,高抵抗（≧1000Ω）] 片面ミラーDF品 25枚

特徴

仕様

その他バリエーション・タイプ

6インチ（SEMI）シリコンウェハ研究用 [P（100）,高抵抗（≧1000Ω）] 片面ミラーDF品 25枚　