4インチシリコンウェハ研究用 [P（100）,1-100Ω,] 片面ミラーDF品 10枚　

Name: 4インチシリコンウェハ 研究用 [P（100）,1-100Ω,] 片面ミラーDF品 10枚
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研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。

仕様

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：CZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：1～100OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：10枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

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サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：CZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：1～100OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：1枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

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4インチシリコンウェハ研究用 [P（100）,1-100Ω,] 片面ミラーDF品 5枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：CZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：1～100OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：5枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

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4インチシリコンウェハ研究用 [P（100）,1-100Ω,] 片面ミラーDF品 25枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：CZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：1～100OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：25枚（1箱）※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3736-43

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4インチシリコンウェハ研究用 [P（100）,高抵抗（≧1000Ω）] 片面ミラーDF品 1枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：FZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≧1000OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：1枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

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4インチシリコンウェハ研究用 [P（100）,高抵抗（≧1000Ω）] 片面ミラーDF品 5枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：FZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≧1000OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：5枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

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4インチシリコンウェハ研究用 [P（100）,高抵抗（≧1000Ω）] 片面ミラーDF品 10枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：FZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≧1000OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：10枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

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4インチシリコンウェハ研究用 [P（100）,高抵抗（≧1000Ω）] 片面ミラーDF品 25枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：FZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≧1000OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：25枚（1箱）※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

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4インチシリコンウェハ研究用 [ノンドープ（100）,高抵抗（≧10000Ω）] 片面ミラーDF品 1枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：FZ法導電型：ドンドープ面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≧10000OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：1枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

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4インチシリコンウェハ研究用 [ノンドープ（100）,高抵抗（≧10000Ω）] 片面ミラーDF品 5枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：FZ法導電型：ドンドープ面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≧10000OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：5枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3736-49

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4インチシリコンウェハ研究用 [ノンドープ（100）,高抵抗（≧10000Ω）] 片面ミラーDF品 10枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：FZ法導電型：ドンドープ面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≧10000OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：10枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3736-50

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4インチシリコンウェハ研究用 [ノンドープ（100）,高抵抗（≧10000Ω）] 片面ミラーDF品 25枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：FZ法導電型：ドンドープ面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≧10000OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：25枚（1箱）※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3736-51

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4インチシリコンウェハ研究用 [ノンドープ（100）,高抵抗（≧20000Ω）] 片面ミラーDF品 1枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：FZ法導電型：ドンドープ面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≧20000OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：1枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

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4インチシリコンウェハ研究用 [ノンドープ（100）,高抵抗（≧20000Ω）] 片面ミラーDF品 5枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：FZ法導電型：ドンドープ面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≧20000OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：5枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3736-53

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4インチシリコンウェハ研究用 [ノンドープ（100）,高抵抗（≧20000Ω）] 片面ミラーDF品 10枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：FZ法導電型：ドンドープ面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≧20000OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：10枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3736-54

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販売価格：￥247,665

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4インチシリコンウェハ研究用 [ノンドープ（100）,高抵抗（≧20000Ω）] 片面ミラーDF品 25枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：FZ法導電型：ドンドープ面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≧20000OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：25枚（1箱）※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3736-55

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販売価格：￥480,700

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4インチシリコンウェハ研究用 [P（100）,低抵抗（≦0.02Ω）] 片面ミラーDF品 1枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：CZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≦0.02OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：1枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3736-56

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販売価格：￥65,417

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4インチシリコンウェハ研究用 [P（100）,低抵抗（≦0.02Ω）] 片面ミラーDF品 5枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：CZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≦0.02OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：5枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3736-57

入数: 1箱(5枚入)

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販売価格：￥71,478

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4インチシリコンウェハ研究用 [P（100）,低抵抗（≦0.02Ω）] 片面ミラーDF品 10枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：CZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≦0.02OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：10枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3736-58

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販売価格：￥104,500

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4インチシリコンウェハ研究用 [P（100）,低抵抗（≦0.02Ω）] 片面ミラーDF品 25枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：CZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≦0.02OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：25枚（1箱）※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3736-59

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販売価格：￥112,860

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4インチシリコンウェハ研究用 [P（100）,低抵抗（≦0.005Ω）] 片面ミラーDF品 1枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：CZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≦0.005OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：1枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3736-60

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販売価格：￥72,419

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4インチシリコンウェハ研究用 [P（100）,低抵抗（≦0.005Ω）] 片面ミラーDF品 5枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：CZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≦0.005OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：5枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3736-61

入数: 1箱(5枚入)

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販売価格：￥78,375

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4インチシリコンウェハ研究用 [P（100）,低抵抗（≦0.005Ω）] 片面ミラーDF品 10枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：CZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≦0.005OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：10枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

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4インチシリコンウェハ研究用 [P（100）,低抵抗（≦0.005Ω）] 片面ミラーDF品 25枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：CZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≦0.005OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：25枚（1箱）※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3736-63

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4インチシリコンウェハ研究用 [P（100）,1-100Ω,] 両面ミラーDF品 25枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：CZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：1～100OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/ミラーパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：25枚（1箱）※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3736-64

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4インチシリコンウェハ研究用 [P（100）,高抵抗（≧1000Ω）] 両面ミラーDF品 25枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：FZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≧1000OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/ミラーパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：25枚（1箱）※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3736-65

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4インチシリコンウェハ研究用 [ノンドープ（100）,高抵抗（≧10000Ω）] 両面ミラーDF品 25枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：FZ法導電型：ドンドープ面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≧10000OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/ミラーパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：25枚（1箱）※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3736-66

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4インチシリコンウェハ研究用 [ノンドープ（100）,高抵抗（≧20000Ω）] 両面ミラーDF品 25枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：FZ法導電型：ドンドープ面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≧20000OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/ミラーパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：25枚（1箱）※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3736-67

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4インチシリコンウェハ研究用 [P（100）,低抵抗（≦0.02Ω）両面ミラーDF品 25枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：CZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≦0.02OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/ミラーパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：25枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3736-68

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4インチシリコンウェハ研究用 [P（100）,低抵抗（≦0.005Ω）] 両面ミラーDF品 25枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：CZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≦0.005OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/ミラーパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：25枚（1箱）※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3736-69

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4インチシリコンウェハ研究用 [P（111）,1-100Ω,] 片面ミラーDF品 25枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：CZ法導電型：P型面方位：111OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：1～100OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：25枚（1箱）※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3736-70

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4インチシリコンウェハ研究用 [N（111）,1-100Ω,] 片面ミラーDF品 25枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：CZ法導電型：N型面方位：111OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：1～100OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：25枚（1箱）※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3736-71

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販売価格：￥139,590

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4インチシリコンウェハ研究用 [N（100）,1-100Ω,] 片面ミラーDF品 1枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：CZ法導電型：N型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：1～100OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：1枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3736-72

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販売価格：￥46,294

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4インチシリコンウェハ研究用 [N（100）,1-100Ω,] 片面ミラーDF品 5枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：CZ法導電型：N型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：1～100OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：5枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3736-73

入数: 1箱(5枚入)

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販売価格：￥50,787

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4インチシリコンウェハ研究用 [N（100）,1-100Ω,] 片面ミラーDF品 10枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：CZ法導電型：N型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：1～100OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：10枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3736-74

入数: 1箱(10枚入)

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販売価格：￥79,838

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4インチシリコンウェハ研究用 [N（100）,1-100Ω,] 片面ミラーDF品 25枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：CZ法導電型：N型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：1～100OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：25枚（1箱）※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3736-75

入数: 1箱(25枚入)

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販売価格：￥78,375

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4インチシリコンウェハ研究用 [N（100）,高抵抗（≧1000Ω）] 片面ミラーDF品 1枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：FZ法導電型：N型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≧1000OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：1枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3736-76

入数: 1枚／箱

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販売価格：￥128,535

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4インチシリコンウェハ研究用 [N（100）,高抵抗（≧1000Ω）] 片面ミラーDF品 5枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：FZ法導電型：N型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≧1000OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：5枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3736-77

入数: 1箱(5枚入)

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販売価格：￥136,895

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4インチシリコンウェハ研究用 [N（100）,高抵抗（≧1000Ω）] 片面ミラーDF品 10枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：FZ法導電型：N型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≧1000OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：10枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3736-78

入数: 1箱(10枚入)

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販売価格：￥225,720

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4インチシリコンウェハ研究用 [N（100）,高抵抗（≧1000Ω）] 片面ミラーDF品 25枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：FZ法導電型：N型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≧1000OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：25枚（1箱）※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3736-79

入数: 1箱(25枚入)

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販売価格：￥401,280

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4インチシリコンウェハ研究用 [N（100）,低抵抗（≦0.02Ω）] 片面ミラーDF品 1枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：CZ法導電型：N型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≦0.02OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：1枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3736-80

入数: 1枚／箱

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販売価格：￥85,899

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4インチシリコンウェハ研究用 [N（100）,低抵抗（≦0.02Ω）] 片面ミラーDF品 5枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：CZ法導電型：N型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≦0.02OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：5枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3736-81

入数: 1箱(5枚入)

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販売価格：￥92,169

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4インチシリコンウェハ研究用 [N（100）,低抵抗（≦0.02Ω）] 片面ミラーDF品 10枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：CZ法導電型：N型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≦0.02OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：10枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3736-82

入数: 1箱(10枚入)

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販売価格：￥154,660

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4インチシリコンウェハ研究用 [N（100）,低抵抗（≦0.02Ω）] 片面ミラーDF品 25枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：CZ法導電型：N型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≦0.02OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：25枚（1箱）※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3736-83

入数: 1箱(25枚入)

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販売価格：￥285,285

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4インチシリコンウェハ研究用 [N（100）,低抵抗（≦0.005Ω）] 片面ミラーDF品 1枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：CZ法導電型：N型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≦0.005OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：1枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3736-84

入数: 1枚／箱

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販売価格：￥93,319

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4インチシリコンウェハ研究用 [N（100）,低抵抗（≦0.005Ω）] 片面ミラーDF品 5枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：CZ法導電型：N型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≦0.005OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：5枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3736-85

入数: 1箱(5枚入)

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販売価格：￥99,066

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4インチシリコンウェハ研究用 [N（100）,低抵抗（≦0.005Ω）] 片面ミラーDF品 10枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：CZ法導電型：N型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≦0.005OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：10枚※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3736-86

入数: 1箱(10枚入)

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販売価格：￥168,245

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4インチシリコンウェハ研究用 [N（100）,低抵抗（≦0.005Ω）] 片面ミラーDF品 25枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：CZ法導電型：N型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≦0.005OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/エッチドパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：25枚（1箱）※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3736-87

入数: 1箱(25枚入)

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販売価格：￥319,770

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4インチシリコンウェハ研究用 [N（100）,1-100Ω,] 両面ミラーDF品 25枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：CZ法導電型：N型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：1～100OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/ミラーパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：25枚（1箱）※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3736-88

入数: 1箱(25枚入)

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販売価格：￥168,245

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4インチシリコンウェハ研究用 [N（100）,高抵抗（≧1000Ω）] 両面ミラーDF品 25枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：FZ法導電型：N型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≧1000OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/ミラーパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：25枚（1箱）※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3736-89

入数: 1箱(25枚入)

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販売価格：￥425,315

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4インチシリコンウェハ研究用 [N（100）,低抵抗（≦0.02Ω）両面ミラーDF品 25枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：CZ法導電型：N型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≦0.02OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/ミラーパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：25枚（1箱）※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3736-90

入数: 1箱(25枚入)

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販売価格：￥216,315

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4インチシリコンウェハ研究用 [N（100）,低抵抗（≦0.005Ω）] 両面ミラーDF品 25枚　

サイズ：4インチシリコンウェハ直径（mm）：100.0±0.2ウェハー厚（μm）：525±25製造方法：CZ法導電型：N型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：≦0.005OF長（mm）：32.5±2.5面状態：ミラー/ミラーパーティクル：≧0.3μm,≦20個TTV（μm）：≦25数量：25枚（1箱）※特注対応品：方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し

商品コード: 65-3736-91

入数: 1箱(25枚入)

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4インチシリコンウェハ 研究用 [P（100）,1-100Ω,] 片面ミラーDF品 10枚

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4インチシリコンウェハ研究用 [P（100）,1-100Ω,] 片面ミラーDF品 10枚　