研究用高純度シリコンウェハー 6×P型 1枚入
仕様
サイズ(インチ)×伝導型:6×P型OF長さ(mm)×ウェハー厚(μm):47.5±2.5×625±25製造方法:CZ法面方位:100OF位置:110抵抗値:0.1~100Ω・cmパーティクル:パーティクル不問入数:1枚特注対応品について(1)方位(切断角度)、OF位置角度公差、厚み公差を、より小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。(2)多様な形状加工と表面処理が可能です(例:ざくり加工品、穴あけ加工品、酸化膜付きウェハー)。(3)ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。(4)8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください(最低単位25枚)。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
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荷姿サイズ:
W:490 D:445 H:275 mm
6.00kg