研究用高純度シリコンウェハー 4×P型(低抵抗) 1枚入
特徴
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様
サイズ(インチ)×伝導型:4×P型(低抵抗)OF長さ(mm)×ウェハー厚(μm):32.5±2.5×525±25入数:1枚製造方法:CZ法面方位:100OF位置:110抵抗値:≦0.02Ω・cmパーティクル:パーティクル不問特注対応品について(1)方位(切断角度)、OF位置角度公差、厚み公差を、より小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。(2)多様な形状加工と表面処理が可能です(例:ざくり加工品、穴あけ加工品、酸化膜付きウェハー)。(3)ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。(4)8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください(最低単位25枚)。
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荷姿サイズ:
W:115 D:115 H:20 mm
0.06kg